怎么测内存延迟高低(怎么测内存延迟?)

怎么测内存延迟高低(怎么测内存延迟?)

怎么测内存延迟?

运用系统命令行命令查看内存频率,首先当然是要靠windows系统自身的工具盒方法来查看内存频率:按下WIN键+R组合键,打开运行,输入cmd,回车,进入命令提示符窗口,在其中输入wmic memorychip。则可看到关于内存时序是否延迟。

内存条延迟计算公式?

内存的时序会随着频率的增加而增加,内存的延迟可以用这个公式来计算:内存延时=时序(CL x 2000 )/内存频率。
DDR:(CL3*2000)/400MHz=15ns
DDR2:(CL5*2000)/800MHz=12.5s
DDR3:(CL9*2000)/1600MHz=11.5ns
DDR4:(CL15*2000)/2133=14ns
即使内存的时序会随着频率的增加而增加,但最后内存的延时并没有太大的变化。频率相同时,时序越低,延迟也就越小。同样,时序相同时,频率越高,延迟也就越小。

图吧工具箱怎么看内存延迟?

图吧工具箱看内存延迟方法:1.打开图吧工具箱,点击AIDA64图标2.点击上方菜单栏的“工具”,再选择“内存与缓存测试”3.在测试界面点击最下方“Start Benchmark”开始测试,测试结束后即可在右上角看内存延迟。

内存四个时序分别是什么?

答:内存四个时序分别是CL、tRCD、tRP、tRAS。内存时序4个数字对应的参数按照顺序分别为CL、tRCD、tRP、tRAS,这四个代号全是缩写。个CL即CAS Latency,它描述的是内存列地址访问的延迟时间,这也是时序中最重要的参数;第二个tRCD,即RAS to CAS Delay,是指内存行地址传输到列地址的延迟时间;第三个tRP,即RAS Precharge Time,表示内存行地址选通脉冲预充电时间;第四个tRAS,即RAS Active Time,描述的是行地址激活的时间。

谁解释一下内存时序是什么?

内存时序其实就是描述内存条性能的一种参数,一般存储在内存条的SPD中。一般数字“11-11-11-28”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”,CASLatency(简称CL值)是内存CAS延迟时间,RAS-to-CASDelay(tRCD),内存行地址传输到列地址的延迟时间;RASPrechargeDelay(tRP),内存行地址选通脉冲预充电时间;RowActiveDelay(tRAS),内存行地址选通延迟。

内存c18时序是什么意思?

内存c18时序就是内存的延迟(单位是时钟周期),时钟周期x时序=延迟,单位是纳秒。随机存取存储器(英语:Random Access Memory,缩写:RAM),也叫主存,是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写(刷新时除外),而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。

内存压时序是什么意思?

内存压时序是描述内存条性能的一种参数,一般存储在内存条的SPD中。内存行地址传输到列地址的延迟时间,内存行地址选通脉冲预充电时间,内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节,在大部分主板的BIOS中可以设定,内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组。

金士顿内存时序怎么调?

1:将内存延时设置在较低的水平,比如DDR2-800内存可以设定为4-4-4-10,更高频率内存可以设定为5-5-5-15。同时将CMD参数设置为1T,并利用测试软件检查内存是否能够稳定工作。  
2:假如降低参数延迟后内存出现不稳定的情况,建议首先将CMD参数调整为AUTO或2T,再使用软件检测内存的稳定性。  
3:如果内存在2T或AUTO模式下仍然无法工作,用户可将逐步提高tCL、tRCD、tRP、tRAS参数的延时设置。  
4:对于tCL参数对内存性能影响较大,大家可以先增加tRCD、tRP、tRAS参数的延迟,最后再增加tCL参数延迟,直至内存能够稳定工作为止。

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